其他產(chǎn)品及廠家

英國PEM 低頻羅氏線圈LFR

pem 低頻羅氏線圈-lfr系列是理想的電低頻流測試產(chǎn)品。且具有尺寸小巧、低相位誤差，超寬的頻帶范圍，使其可以測量被測信號(hào)的400次諧波（@45/65hz）。低頻羅氏線圈--lfr對(duì)電流幅度的響應(yīng)曲線，有著高的線性度。配備有10:1的電流開關(guān)檔，使其有著更寬的動(dòng)態(tài)測試范圍.

更新時(shí)間:2025-07-10

該公司產(chǎn)品分類：上海祺煊實(shí)業(yè)有限公司

英國PEM交流電流探頭RCTi系列

rcti是工業(yè)級(jí)專用永久安裝的交流電流探頭。傳感器線圈纖細(xì)、輕巧、柔性。從感應(yīng)線圈輸出實(shí)時(shí)的與測量電流相對(duì)應(yīng)的電壓。

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英國PEM直流電流探頭DCflex

dcflex系列電流探頭在功率電子測量中經(jīng)濟(jì)實(shí)用，使用簡單，性價(jià)比非常高。直流柔性探頭結(jié)構(gòu)：纖細(xì)、柔軟的感應(yīng)套環(huán)，讓您輕而易舉地與實(shí)際測量對(duì)象相連接。

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KIC 2000KIC 爐溫測試儀

kic2000爐溫測試儀產(chǎn)品介紹加工定制：是品牌：美國kic型號(hào)：kic2000測量范圍：-50-1050（℃）測溫分辨率：0.1℃外形尺寸：320*86*26（mm）裝箱數(shù)：1

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該公司產(chǎn)品分類：深圳市精科創(chuàng)電子設(shè)備有限公司

FBT12SMT爐溫測試儀，美國布瑞得進(jìn)口爐溫測試儀

產(chǎn)品用途：用來對(duì)各種加熱或制冷設(shè)備進(jìn)行溫度測量.長時(shí)間溫度監(jiān)控.溫度曲線測繪及溫度數(shù)據(jù)分析等適用范圍：smt電子生產(chǎn)制造.冶金.熱處理.烤漆涂裝.釬焊.ir.隧道爐等所有需要進(jìn)行溫度監(jiān)控或測量的行業(yè)

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該公司產(chǎn)品分類：深圳市精科創(chuàng)電子設(shè)備有限公司

KIC explorerkic爐溫測試儀報(bào)價(jià)，SMT爐溫測試儀，爐溫測試儀供應(yīng)商，7通道爐溫測試儀

kic explorer爐溫測試儀產(chǎn)品介紹加工定制：是品牌：kic型號(hào)：explorer 7ch測量范圍：內(nèi)部操作溫度0-85（℃）測溫分辨率：0.1℃測溫精度：+/-1.2℃外形尺寸：200.0×60.0×17.0（mm）裝箱數(shù)：1

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美國Stangenes電流互感器2-1.0W

magnelab電流互感器（ct）提供準(zhǔn)確，無損（非接觸）的單或重復(fù)單或雙的測量脈沖或連續(xù)波。

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HA405-DPA-SC-S8/120梅特勒電極（有問題，產(chǎn)品上留有碎渣）

梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問題，產(chǎn)品上留有碎渣）硬件開放實(shí)驗(yàn)室開放實(shí)驗(yàn)室儀器租賃

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EMMC 上電時(shí)序測試電源紋波測試

emmc 上電時(shí)序測試電源紋波測試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。

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EMMC 時(shí)鐘測試數(shù)據(jù)信號(hào)測試

emmc 時(shí)鐘測試數(shù)據(jù)信號(hào)測試電源紋波測試過大的問題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長的鱷魚夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。

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EMMC 控制信號(hào)測試控制信號(hào)過沖測試控制信號(hào)高低電平測試

emmc 控制信號(hào)測試控制信號(hào)過沖測試控制信號(hào)高低電平測試

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EMMC 復(fù)位測試 CLK測試 DQS測試

emmc 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試這是個(gè)典型的電源紋波測試的問題。我們通過使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測試結(jié)果大大改善。

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EMMC4 上電時(shí)序測試電源紋波測試時(shí)鐘測試數(shù)據(jù)信號(hào)測試

emmc4 上電時(shí)序測試電源紋波測試時(shí)鐘測試數(shù)據(jù)信號(hào)測試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開，屏蔽層焊接在被測電路地上，中心導(dǎo)體通過個(gè)隔直電容連接被測的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。

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Emmc5 上電時(shí)序測試電源紋波測試時(shí)鐘測試數(shù)據(jù)信號(hào)測試

相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測試 , 電源紋波測試 , 時(shí)鐘測試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測試通俗的來說，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。

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EMMC4 復(fù)位測試 CLK測試 DQS測試

emmc4 , 復(fù)位測試 , clk測試 , dqs測試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。

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EMMC5 復(fù)位測試 CLK測試 DQS測試

emmc5 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。

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EMMC5 復(fù)位測試 CLK測試

emmc5 復(fù)位測試 clk測試mmc通過發(fā)cmd的方式來實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。

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EMMC4 復(fù)位測試 CLK測試 DQS測試 EMMC5 復(fù)位測試

emmc4 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試 emmc5 復(fù)位測試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。

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電源紋波測試時(shí)鐘測試數(shù)據(jù)信號(hào)測試 Emmc5 上電時(shí)序測試

相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測試 , 時(shí)鐘測試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測試 , emmc5 , 上電時(shí)序測試

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BC302流動(dòng)測震儀

bc302流動(dòng)測震儀;軸承狀態(tài)分析和紅外線溫度是基于微處理器的手持式機(jī)器狀態(tài)檢測儀器，具有振動(dòng)測量和評(píng)價(jià)、軸承狀態(tài)檢測和評(píng)價(jià)功能。流動(dòng)測震儀振動(dòng)檢測、軸承狀態(tài)分析和紅外線溫度測量，測量準(zhǔn)確測量速度≥1.5m/s,存儲(chǔ)溫度-10℃~60℃, 用于振動(dòng)檢測、軸承狀態(tài)分析和紅外線溫度測量，應(yīng)急救災(zāi)地完整配置.

更新時(shí)間:2025-07-10

該公司產(chǎn)品分類：寶應(yīng)振動(dòng)儀器廠

CLK測試 DQS測試 EMMC4 上電時(shí)序測試

相關(guān)產(chǎn)品：clk測試 , dqs測試 , emmc4 , 上電時(shí)序測試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性，省去總線 tuning 過程。

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CLK測試 DQS測試 EMMC4 上電時(shí)序測試電源紋波測試

相關(guān)產(chǎn)品：clk測試 , dqs測試 , emmc4 , 上電時(shí)序測試 , 電源紋波測試

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電源紋波測試時(shí)鐘測試數(shù)據(jù)信號(hào)測試 EMMC4 復(fù)位測試 CLK測試 DQS測試

電源紋波測試時(shí)鐘測試數(shù)據(jù)信號(hào)測試 emmc4 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試

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控制信號(hào)測試控制信號(hào)過沖測試控制信號(hào)高低電平測試 EMMC 復(fù)位測試

數(shù)據(jù)信號(hào)測試 emmc5 上電時(shí)序測試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測到該信號(hào)，并開始接收 response。

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數(shù)據(jù)信號(hào)測試 Emmc5 上電時(shí)序測試

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CLK測試 DQS測試 EMMC4 上電時(shí)序測試，眼圖測試

clk測試 dqs測試 emmc4 上電時(shí)序測試，眼圖測試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。

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數(shù)據(jù)信號(hào)測試 EMMC4 復(fù)位測試 CLK測試 DQS測試

數(shù)據(jù)信號(hào)測試 emmc4 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。

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I復(fù)位測試 CLK測試 DQS測試 EMMC4 上電時(shí)序測試

復(fù)位測試 clk測試 dqs測試 emmc4 上電時(shí)序測試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測試過程（bus testing procedure），測試總線硬件上的連通性。

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PCIE2.0 3.0 驗(yàn)證調(diào)試和一致性測試解決方案

遇到的問題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常，memory mapping空間讀寫異常

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PCIE2.0 3.0 物理層一致性測試

cie2.0 3.0 物理層致性測試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。

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PCIE2.0 3.0 TX 發(fā)送物理層一致性測試

pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。

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PCIE2.0 3.0 RX 接收物理層一致性測試

pcie2.0 3.0 rx 接收物理層致性測試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。

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PCIE Gen2/Gen3/Gen4 發(fā)送端信號(hào)質(zhì)量一致性測試

pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問題- serdes電源問題- 時(shí)鐘問題

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pcie2.0x4 眼圖測試物理層一致性測試

pcie2.0x4 眼圖測試物理層致性測試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無時(shí)無刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來說遇到的挑戰(zhàn)和問題也就越來越嚴(yán)峻。

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pcie2.0x8 眼圖測試物理層一致性測試

pcie2.0x8 眼圖測試物理層致性測試在個(gè)處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào)，其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路，另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。

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Pcie1.0x4 眼圖測試物理層一致性測試

pcie1.0x4 眼圖測試物理層致性測試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號(hào)幅度越來越低，對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來越來越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.

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Pcie1.0x8 眼圖測試物理層一致性測試

pcie1.0x8 眼圖測試物理層致性測試ci總線定義了兩類配置請求，個(gè)是type00h配置請求，另個(gè)是type 01h配置請求。

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Pcie1.0x16 眼圖測試物理層一致性測試

pcie1.0x16 眼圖測試物理層致性測試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力發(fā)展的快車，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。

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Pcie3.0x4 眼圖測試物理層一致性測試

pcie3.0x4 眼圖測試物理層致性測試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。

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Pcie3.0x8 眼圖測試物理層一致性測試

pcie3.0x8 眼圖測試物理層致性測試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商，而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。

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Pcie3.0x16 眼圖測試物理層一致性測試

pcie3.0x16 眼圖測試物理層致性測試獲得的信號(hào)波形沒有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測試結(jié)果與仿真致。如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測試才能發(fā)現(xiàn)問題，如果要改善，只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。

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