其他產(chǎn)品及廠家
emmc4 上電時(shí)序測試 電源紋波測試 時(shí)鐘測試 數(shù)據(jù)信號測試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開，屏蔽層焊接在被測電路地上，中心導(dǎo)體通過個隔直電容連接被測的電源信號。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-09-12
相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測試 , 電源紋波測試 , 時(shí)鐘測試 , 數(shù)據(jù)信號測試通俗的來說，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-09-12
emmc4 , 復(fù)位測試 , clk測試 , dqs測試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-09-12
emmc5 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-09-12
emmc5 復(fù)位測試 clk測試mmc通過發(fā)cmd的方式來實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問。device identification mode包括3個階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-09-12
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問題，產(chǎn)品上留有碎渣） 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-09-12
emmc4 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試 emmc5 復(fù)位測試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會進(jìn)入該階段。
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相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測試 , 時(shí)鐘測試 , 數(shù)據(jù)信號測試 , emmc5 , 上電時(shí)序測試
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相關(guān)產(chǎn)品：clk測試 , dqs測試 , emmc4 , 上電時(shí)序測試data strobe 時(shí)鐘信號由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性，省去總線 tuning 過程。
更新時(shí)間:2025-09-12
相關(guān)產(chǎn)品：clk測試 , dqs測試 , emmc4 , 上電時(shí)序測試 , 電源紋波測試
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電源紋波測試 時(shí)鐘測試 數(shù)據(jù)信號測試 emmc4 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試
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數(shù)據(jù)信號測試 emmc5 上電時(shí)序測試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測到該信號，并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-09-12
數(shù)據(jù)信號測試 emmc5 上電時(shí)序測試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測到該信號，并開始接收 response。
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clk測試 dqs測試 emmc4 上電時(shí)序測試，眼圖測試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個 data line 上的 crc 為對應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-09-12
數(shù)據(jù)信號測試 emmc4 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
更新時(shí)間:2025-09-12
復(fù)位測試 clk測試 dqs測試 emmc4 上電時(shí)序測試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測試過程（bus testing procedure），測試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-09-12
遇到的問題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常，memory mapping空間讀寫異常
更新時(shí)間:2025-09-12
cie2.0 3.0 物理層致性測試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個設(shè)備，這兩個設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號向處理器系統(tǒng)提交喚醒請求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie 初始化完成后會進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號質(zhì)量問題- serdes電源問題- 時(shí)鐘問題
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie2.0x4 眼圖測試 物理層致性測試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無時(shí)無刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對業(yè)內(nèi)從業(yè)者來說遇到的挑戰(zhàn)和問題也就越來越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie2.0x8 眼圖測試 物理層致性測試在個處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號線組成32對差分信號，其中16對petxx信號用于發(fā)送鏈路，另外16對perxx信號用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號。
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie1.0x4 眼圖測試 物理層致性測試日益降低的信號幅度必將帶來信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號幅度越來越低，對整個 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來越來越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie1.0x8 眼圖測試 物理層致性測試ci總線定義了兩類配置請求，個是type00h配置請求，另個是type 01h配置請求。
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie1.0x16 眼圖測試 物理層致性測試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie3.0x4 眼圖測試 物理層致性測試下面是個 ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie3.0x8 眼圖測試 物理層致性測試deviceid和vendor id寄存器這兩個寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商，而device id代表這個廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-09-12
pcie3.0x16 眼圖測試 物理層致性測試獲得的信號波形沒有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測試才能發(fā)現(xiàn)問題，如果要改善， 只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-09-12
出租agilent usb3.0測試夾具u7242-26401
更新時(shí)間:2025-09-12
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-09-12
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-09-12
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測試夾具，硬件測試，ddr測試，時(shí)序測試，紋波測試，抖動測試
更新時(shí)間:2025-09-12
lscg leak-seeker提高了可燃?xì)怏w檢漏儀的標(biāo)準(zhǔn)，使其成為暖通空調(diào)人員定位和查明泄漏的工具。lscg幫助您確保沒有危險(xiǎn)的泄漏，因此您可以保持。先可燃?xì)怏w泄漏檢測儀大型背光lcd顯示屏可獲得讀
更新時(shí)間:2025-09-11
正品大廠出品華測藍(lán)圖lt30移動gis數(shù)據(jù)終端|高精度差分gps代替停產(chǎn)美國天寶gps sb 的性能可以取代目前停產(chǎn)的juno sb手持gps帶攝像帶藍(lán)牙
更新時(shí)間:2025-09-11
量程：200μt,分辨率0.01μt(地球磁場約35μt) 設(shè)有標(biāo)準(zhǔn)磁場校準(zhǔn)。測量環(huán)境磁場、監(jiān)視空運(yùn)包裹、測量地球矢量磁場、評估磁屏蔽間效果、教學(xué)演示。
更新時(shí)間:2025-09-11
[應(yīng)用]•測量加工工件上殘留的磁通量。•磁性應(yīng)用產(chǎn)品的磁通量測量。•電機(jī)的磁通量測量。•測量磁性材料的性能。
更新時(shí)間:2025-09-11
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超g
更新時(shí)間:2025-09-11
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-09-11
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
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hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
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hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-09-11
運(yùn)用jigaotest系統(tǒng)設(shè)計(jì)研發(fā)的一款用來檢測土工合成材料及相關(guān)復(fù)合材料在垂直方向水流透過率的測試設(shè)備！⊥凉げ纪杆詼y定儀 土工布透水性
更新時(shí)間:2025-09-11
最新產(chǎn)品
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- Cadazolid (Standard) 2025/9/12 16:12:14
- IMR-1A (Standard) 2025/9/12 16:11:50
- 微孔板分光光度計(jì) 2025/9/12 16:07:55
- Netoglitazone (Standard) 2025/9/12 16:11:26
- 多功能酶標(biāo)儀 2025/9/12 16:07:18
- Osemozotan 2025/9/12 16:11:02
- LY2365109 2025/9/12 16:10:35
- Linaprazan (Standard) 2025/9/12 16:10:11
- 全波長酶標(biāo)儀 2025/9/12 16:06:12
- Linaprazan mesylate 2025/9/12 16:09:47
- FCCP (Standard) 2025/9/12 16:09:22
- K-604 dihydrochloride (Standard) 2025/9/12 16:08:58
- Nevanimibe hydrochloride (Standard) 2025/9/12 16:08:34
- SQ22536 (Standard) 2025/9/12 16:08:10
- 伯利恒BLH-500K稻谷重金屬前處理平臺 糧倉檢測設(shè)備 2025/9/12 16:04:08
- SHP099 (Standard) 2025/9/12 16:07:46
- 儀谷（YIGU）紫外輻射計(jì)紫外線指數(shù)傳感器檢測太陽紫外測光儀紫外線輻射照度計(jì) GPRS無線傳輸遠(yuǎn)程看數(shù)據(jù) 2025/9/12 16:03:40
- SHP099 monohydrochloride (Standard) 2025/9/12 16:07:22
- Ticlopidine (Standard) 2025/9/12 16:06:58
- Quiflapon (Standard) 2025/9/12 16:06:34
- Val-Cit-PAB-MMAE (GMP) 2025/9/12 16:06:10
- (RS)-MCPG (Standard) 2025/9/12 16:05:46
- DMCM hydrochloride (Standard) 2025/9/12 16:05:21
- C12-Ceramide (Standard) 2025/9/12 16:04:57
- cis-SU4312 2025/9/12 16:04:33
- EPI-001 (Standard) 2025/9/12 16:04:09
- PDE7-IN-3 2025/9/12 16:03:45
- 防爆型不銹鋼濃漿泵 2025/9/12 15:59:29
- Mardepodect succinate 2025/9/12 16:03:21